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DG636EEQ-T1-GE4
- 零件编号：
- DG636EEQ-T1-GE4
- 产品分类：
- -
- 制造商：
- Vishay Siliconix
- 描述：
- IC SWITCH SPDT X 2 96OHM 14TSSOP
- 封装：
- -
- 包装：
- Cut Tape (CT)
- 数量：
- 5335
- RoHS 状态：
- 支持
起订量：1
| 数量 | 价格 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.62 | $1.62 |
| 10+ | $1.18 | $11.8 |
| 25+ | $1.07 | $26.75 |
| 100+ | $0.95 | $95 |
| 250+ | $0.89 | $222.5 |
| 500+ | $0.85 | $425 |
| 1000+ | $0.83 | $830 |
产品参数
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 电路数量 | 2 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 开关电路 | SPDT |
| 多路复用器/解复用器电路 | 2:1 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 封装 / 外壳 | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 供应商器件封装 | 14-TSSOP |
| 电流 - 漏电 (IS(关断)) (最大值) | 500pA |
| 电压 - 供电，双电源（V±） | ±3V ~ 8V |
| 电源电压 - 单路 (V+) | 3V ~ 16V |
| 通道间匹配度（ΔRon） | 2Ohm |
| -3分贝带宽 | 700MHz |
| 串扰 | -62dB @ 10MHz |
| 导通电阻（最大值） | 96Ohm |
| 电荷注入 | -0.33pC |
| 沟道电容（关断源极电容，关断漏极电容） | 3.7pF, 4.4pF |
| 开关时间（导通时间，关断时间）（最大值） | 56ns, 61ns |
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