BD2320EFJ-LAE2

零件编号:
BD2320EFJ-LAE2
制造商:
ROHM Semiconductor
描述:
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
封装:
-
包装:
Cut Tape (CT)
数量:
1833
RoHS 状态:
支持
分享:
PDF:
-

起订量:1

数量 价格 总价
1+ $2.79 $2.79
10+ $2.08 $20.8
25+ $1.9 $47.5
100+ $1.7 $170
250+ $1.61 $402.5
500+ $1.55 $775
1000+ $1.51 $1510

产品参数

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
可编程 Not Verified
沟道类型 Independent
栅极类型 MOSFET (N-Channel)
输入类型 Non-Inverting
工作温度 -40°C ~ 125°C (TA)
驱动器数量 2
封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
高侧电压 - 最大值(自举) 100 V
上升/下降时间(典型值) 8ns, 6ns
驱动配置 High-Side and Low-Side
供应商器件封装 8-HTSOP-J
电压 - 供电 7.5V ~ 14.5V
逻辑电压 - 低电平输入电压(VIL),高电平输入电压(VIH) 1.7V, 1.5V
电流 - 峰值输出(源极,漏极) 3.5A, 4.5A