BY25FQM512ESWIG(R)

Номер детали:
BY25FQM512ESWIG(R)
Категории товаров:
-
Производитель:
BYTe Semiconductor
Описание:
511 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Упаковка:
-
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддержка
Поделиться:
PDF:

Минимальный объем заказа:3000

Количество Цена Общая стоимость
3000+ $2.64 $7920

Параметры продукта

Статус детали Active
Рабочая температура -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа Surface Mount
Класс -
Квалификация -
Тип памяти Non-Volatile
Напряжение питания 2.7V ~ 3.6V
Формат памяти FLASH
Корпус 8-WDFN Exposed Pad
Технология FLASH - NOR
Тактовая частота 166 MHz
Объем памяти 512Mbit
Организация памяти 64M x 8
Время доступа 5 ns
Поставщик Устройство Корпус 8-WSON (5x6)
Интерфейс памяти SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Время цикла записи - Слово, Страница 100µs, 2.4ms