BD2320EFJ-LAE2

部品番号:
BD2320EFJ-LAE2
メーカー:
ROHM Semiconductor
説明:
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
パッケージング:
-
包装:
Cut Tape (CT)
数量:
1833
RoHS 状態:
サポート
共有:
PDF:
-

最小注文数量:1

数量 価格 合計金額
1+ $2.79 $2.79
10+ $2.08 $20.8
25+ $1.9 $47.5
100+ $1.7 $170
250+ $1.61 $402.5
500+ $1.55 $775
1000+ $1.51 $1510

製品パラメータ

部品ステータス Active
実装タイプ Surface Mount
ディギキー・プログラマブル Not Verified
チャネルタイプ Independent
ゲートタイプ MOSFET (N-Channel)
输入类型 Non-Inverting
動作温度 -40°C ~ 125°C (TA)
ドライバ数 2
パッケージ / ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 100 V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) 8ns, 6ns
駆動構成 High-Side and Low-Side
サプライヤーデバイスパッケージ 8-HTSOP-J
電源電圧 7.5V ~ 14.5V
ロジック電圧 - VIL、VIH 1.7V, 1.5V
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) 3.5A, 4.5A