BY25D10ASMIG(R)

Numéro de pièce :
BY25D10ASMIG(R)
Catégories de produits :
-
Fabricant :
BYTe Semiconductor
Description :
1 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Emballage :
-
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
État RoHS :
Soutien
Partager :
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Quantité minimale de commande :30000

Quantité Prix Prix total
30000+ $0.14 $4200

Paramètres du produit

Statut de la pièce Active
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Grade -
Qualification -
Type de mémoire Non-Volatile
Taille de la mémoire 1Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Tension d'alimentation 2.7V ~ 3.6V
Format de mémoire FLASH
Technologie FLASH - NOR
Temps d'accès 7 ns
Boîtier 8-UFDFN Exposed Pad
Fréquence d'horloge 108 MHz
Interface de mémoire SPI - Dual I/O
Fournisseur Dispositif Emballage 8-USON (2x3)
Temps d'Écriture - Mot, Page 2.4ms