BD2320UEFJ-LAE2

Numéro de pièce :
BD2320UEFJ-LAE2
Fabricant :
ROHM Semiconductor
Description :
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Emballage :
-
Emballage :
Cut Tape (CT)
Quantité :
2167
État RoHS :
Soutien
Partager :
PDF :
-

Quantité minimale de commande :1

Quantité Prix Prix total
1+ $2.38 $2.38
10+ $1.76 $17.6
25+ $1.6 $40
100+ $1.43 $143
250+ $1.35 $337.5
500+ $1.3 $650
1000+ $1.26 $1260

Paramètres du produit

Statut de la pièce Active
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Surface Mount
Programmable Not Verified
Configuration à entraînement Half-Bridge
Type de canal Independent
Type de Porte MOSFET (N-Channel)
输入类型 Non-Inverting
Nombre de pilotes 2
Boîtier 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Tension côté haut - Max (Bootstrap) 100 V
Temps de Montée / Descente (Typ) 8ns, 6ns
Fournisseur Dispositif Emballage 8-HTSOP-J
Tension d'alimentation 7.5V ~ 14.5V
Tension Logique - VIL, VIH 1.7V, 1.5V
Courant - Crête de sortie (Source, Puits) 3.5A, 4.5A