BD2320EFJ-LAE2

Numéro de pièce :
BD2320EFJ-LAE2
Fabricant :
ROHM Semiconductor
Description :
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Emballage :
-
Emballage :
Cut Tape (CT)
Quantité :
1833
État RoHS :
Soutien
Partager :
PDF :
-

Quantité minimale de commande :1

Quantité Prix Prix total
1+ $2.79 $2.79
10+ $2.08 $20.8
25+ $1.9 $47.5
100+ $1.7 $170
250+ $1.61 $402.5
500+ $1.55 $775
1000+ $1.51 $1510

Paramètres du produit

Statut de la pièce Active
Type de montage Surface Mount
Programmable Not Verified
Type de canal Independent
Type de Porte MOSFET (N-Channel)
输入类型 Non-Inverting
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Nombre de pilotes 2
Boîtier 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Tension côté haut - Max (Bootstrap) 100 V
Temps de Montée / Descente (Typ) 8ns, 6ns
Configuration à entraînement High-Side and Low-Side
Fournisseur Dispositif Emballage 8-HTSOP-J
Tension d'alimentation 7.5V ~ 14.5V
Tension Logique - VIL, VIH 1.7V, 1.5V
Courant - Crête de sortie (Source, Puits) 3.5A, 4.5A