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BY25FQM512ESWIG(R)
- Número de pieza:
- BY25FQM512ESWIG(R)
- Categoría de productos:
- -
- Fabricante:
- BYTe Semiconductor
- Descripción:
- 511 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
- Embalaje:
- -
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Cantidad:
- 0
- Estado RoHS:
- Apoyo
Cantidad mínima de pedido:3000
| Cantidad | Precio | Precio total |
|---|---|---|
| 3000+ | $2.64 | $7920 |
Parámetros del producto
| Estado de la Pieza | Active |
|---|---|
| Temperatura de Operación | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de Montaje | Surface Mount |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de Memoria | Non-Volatile |
| Voltaje - Alimentación | 2.7V ~ 3.6V |
| Formato de Memoria | FLASH |
| Paquete / Carcasa | 8-WDFN Exposed Pad |
| Tecnología | FLASH - NOR |
| Frecuencia de Reloj | 166 MHz |
| Tamaño de la Memoria | 512Mbit |
| Organización de la Memoria | 64M x 8 |
| Tiempo de Acceso | 5 ns |
| Proveedor Dispositivo Paquete | 8-WSON (5x6) |
| Interfaz de Memoria | SPI - Quad I/O, QPI, DTR |
| Tiempo de Ciclo de Escritura - Palabra, Página | 100µs, 2.4ms |
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