BD2320UEFJ-LAE2

Número de pieza:
BD2320UEFJ-LAE2
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Embalaje:
-
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
2167
Estado RoHS:
Apoyo
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PDF:
-

Cantidad mínima de pedido:1

Cantidad Precio Precio total
1+ $2.38 $2.38
10+ $1.76 $17.6
25+ $1.6 $40
100+ $1.43 $143
250+ $1.35 $337.5
500+ $1.3 $650
1000+ $1.26 $1260

Parámetros del producto

Estado de la Pieza Active
Temperatura de Operación -40°C ~ 125°C
Tipo de Montaje Surface Mount
Programmable Not Verified
Configuración Impulsada Half-Bridge
Tipo de Canal Independent
Tipo de Puerta MOSFET (N-Channel)
输入类型 Non-Inverting
Número de Controladores 2
Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Voltaje Máximo en el Lado Alto (Bootstrap) 100 V
Tiempo de Subida / Bajada (Típ.) 8ns, 6ns
Proveedor Dispositivo Paquete 8-HTSOP-J
Voltaje - Alimentación 7.5V ~ 14.5V
Voltaje Lógico - VIL, VIH 1.7V, 1.5V
Corriente - Salida Máxima (Fuente, Sumidero) 3.5A, 4.5A