BD2320EFJ-LAE2

Número de pieza:
BD2320EFJ-LAE2
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Embalaje:
-
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
1833
Estado RoHS:
Apoyo
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PDF:
-

Cantidad mínima de pedido:1

Cantidad Precio Precio total
1+ $2.79 $2.79
10+ $2.08 $20.8
25+ $1.9 $47.5
100+ $1.7 $170
250+ $1.61 $402.5
500+ $1.55 $775
1000+ $1.51 $1510

Parámetros del producto

Estado de la Pieza Active
Tipo de Montaje Surface Mount
Programmable Not Verified
Tipo de Canal Independent
Tipo de Puerta MOSFET (N-Channel)
输入类型 Non-Inverting
Temperatura de Operación -40°C ~ 125°C (TA)
Número de Controladores 2
Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Voltaje Máximo en el Lado Alto (Bootstrap) 100 V
Tiempo de Subida / Bajada (Típ.) 8ns, 6ns
Configuración Impulsada High-Side and Low-Side
Proveedor Dispositivo Paquete 8-HTSOP-J
Voltaje - Alimentación 7.5V ~ 14.5V
Voltaje Lógico - VIL, VIH 1.7V, 1.5V
Corriente - Salida Máxima (Fuente, Sumidero) 3.5A, 4.5A